【新版】

栅极蚀刻,半导体加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
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分类：专业技术
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1、以非NVM区内的同时蚀刻来图形化非易失性存储器的栅极叠层

[简介]：本套资料主要内容为以非NVM区内的同时地蚀刻来图形化非易失性存储器的栅极叠层。一种在具有NVM区82和不与NVM区重叠的非NVM区80的衬底84之上形成非易失性存储器NVM的栅极叠层的方法包括在NVM区和非NVM区内的衬底之上形...

2、以非NVM区内的同时蚀刻来图形化非易失性存储器的栅极叠层

[简介]：本套资料在一实施例中提供一种为一半导体装置205制作一金属栅极堆叠200的方法。所述方法包括在一位于一半导体衬底220上的栅极介电层215上沉积一金属层210。所述方法进一步包括在所述金属层210上形成一多晶硅层...

3、用于金属栅极集成的栅极堆叠及栅极堆叠蚀刻顺序

[简介]：本套资料提供一种形成快闪存储器件的方法。该方法包括提供半导体衬底，所述衬底包含硅材料并且具有周边区域和单元区域。该方法还包括在所述单元区域和所述周边区域之间形成隔离结构。此外，该方法包括形成覆盖所述单元区域和...

4、用于基于SONOS的快闪存储的多晶硅栅极蚀刻方法和器件

[简介]：本套资料主要内容为一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽SGT结构的方法以及一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层测试区域之上设有抗蚀性涂层。所述的抗蚀性涂层...

5、屏蔽栅极沟槽技术中对蚀刻深度的测定

[简介]：本套资料主要内容为一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽SGT结构的方法和一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层的测试区域上放置抗蚀性涂层，从而定义位于抗蚀性...

6、屏蔽栅极沟槽技术中基于电阻来测定蚀刻深度

[简介]：本套资料主要内容为从其上具有栅极隔片氧化物材料的微电子器件上至少部分去除所述材料的栅极隔片氧化物材料去除组合物和方法。所述无水去除组合物包括至少一种有机溶剂、至少一种螯合剂、碱氟化物:酸氟化物组分、和任选至少一种...

7、选择性蚀刻栅极隔片氧化物材料的组合物和方法

[简介]：本套资料提供制作栅极的方法与蚀刻导电层的方法。首先，提供一基底，基底表面依序包括一介电层与一导电层。接着于导电层上形成一图案化氮硅层当作图案化硬掩模，且图案化氮硅层的氢含量高于每立方厘米1E22原子atomscm3。随...

8、制作栅极与蚀刻导电层的方法

[简介]：本套资料揭示一种移除半导体工艺中栅极上的金属硅化物层的方法。其中，栅极、金属硅化物层、间隙壁，氮化硅盖层、及介电层均已形成。本套资料的方法包括下列步骤：首先，进行一化学机械抛光工艺，以抛光介电层，并以氮化硅盖层为抛光...

9、移除栅极上的金属硅化物层的方法及蚀刻方法

[简介]：本套资料揭露一种利用单一蚀刻步骤形成硅尖角的方法，并可用于形成浮置栅极的尖角以提高其数据抹除效率。本套资料包括：提供一含有一硅层的基底；将该基底置于一蚀刻机器的反应室中；以及利用一蚀刻气体凹蚀上述硅层，使被蚀刻的...

10、利用单一蚀刻步骤形成硅尖角以及形成浮置栅极的方法

[简介]：一种覆盖晶体管栅极叠层的侧壁和沿晶体管栅极叠层的底部的衬底的一部分的抗蚀刻衬里。该衬里防止在栅极叠层的侧壁上形成可能引起电短路的硅化物，并在晶体管栅极叠层的底部的衬底中的源极和漏极区中确定硅化物形成的位置...

11、在晶体管栅极结构上使用抗蚀刻衬里的方法和结构

[简介]：本套资料公开一种金属斜角蚀刻结构、源极漏极与栅极结构及其制造方法。此用于金属斜角蚀刻的方法步骤包括：提供一衬底；于上述衬底上形成一具有相对上述衬底面法线方向生长的柱状结晶所构成的第一金属层；于上述第一金属层上...

12、金属斜角蚀刻结构、源极漏极与栅极结构及其制造方法

[简介]：一种制造金属氧化物半导体的方法500。将金属氧化物半导体的栅极构造蚀刻510。将一含氮气体，可为NO或N2O，流过该金属氧化物半导体520。将一植入前薄膜620生长于该栅极构造的边缘。该植入前薄膜可以修补因为蚀刻过程...

13、蚀刻金属氧化物半导体栅极构造的氮氧化方法

[简介]：本套资料涉及一种具有局部蚀刻栅极的半导体结构及其制作方法，该方法包括：提供一半导体衬底，在该半导体衬底上具有至少两邻近的栅极结构，其中上述栅极结构由形成在半导体衬底的一栅极介电层、一栅极导电层以及一上盖层所构...

14、具有局部蚀刻栅极的半导体结构及其制作方法

[简介]：本套资料揭露一种金属栅极结构，以及形成该金属栅极结构的方法，将金属杂质36引进到例如由TiN所制成的第一金属层34里。于金属栅极结构的形成期间，于覆于其上钨栅极38的蚀刻期间，杂质36产生预防TiN34过度蚀刻的具...

15、注入有金属物质的蚀刻阻挡层的金属栅极叠层构造

[简介]：本套资料提供各种制造导体结构10的方法。一方面，本套资料提供于第一工件12上制造导体结构10的方法。于第一工件12上形成硅膜20。于该硅膜20上形成抗反射涂层22。于该抗反射涂层22的第一部份上形成掩膜24，同时...

16、多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除

[简介]：提出一种用于形成晶体管栅极结构41，42的方法。形成栅极氧化物层。在栅极氧化物层41上淀积栅极材料42。在栅极材料42上淀积氧氮化硅层43。蚀刻氧氮化硅层43、栅极材料42以及栅极氧化物层41以形成栅极结构41...

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